第一性原理研究C对ZnO晶体和电子结构的影响

武汉理工大学学报 ›› 2012, Vol. 34 ›› Issue (8) : 11-15.

材料科学与工程

王琳^1，2，李河²，刘桂珍²,周建²

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摘要

基于实际研究中较少关注的C杂质对ZnO中的影响，通过第一性原理研究了ZnO中非故意掺杂的C杂质对其晶体结构和电子结构的影响，结果发现：C易引起ZnO晶格畸变，造成化合键断裂的现象。CZn与其周围的O在高能位易发生氧化还原反应，产生CO2，引起VO缺陷；低能位的CZn能存在ZnO晶格之中，产生一个新的施主能级，导电性呈现n型，对p型掺杂能产生强烈的补偿作用，不利提高材料的p型导电性能。