阳极键合后基片呈现黑斑原因及影响因素

武汉理工大学学报 ›› 2009, Vol. 31 ›› Issue (22) : 66-70.

论文

阳极键合后基片呈现黑斑原因及影响因素

李宏，章钊，王倩，熊德

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摘要

半导体硅与玻璃的阳极键合技术是微机电系统（Micro Electronic Mechanical Sys
tem简称MEMS）的关键封装技术，微晶玻璃相比传统的阳极键合用玻璃，具有键合温度低、键合强度高、键合质量好等优点。实验采用二步热处理法，制备了热膨胀系数与硅片匹配的Li2O-Al2O3-SiO2(LAS)系统微晶玻璃，在不同的键合工艺制度下，进行了微晶玻
璃/硅片阳极键合实验；深入研究了键合后微晶玻璃基片接阴极面均产生黑斑的原因，并分
析探讨了黑斑产生的影响因素。实验结果表明：黑斑密集程度随电压的升高而增大，温度对
其影响较小，其成因可能为局部温度过高所致。